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Propiedades ópticas del transistor TRIPLE-δ-MIGFET con efectos de campo eléctrico y campo magnético aplicados

dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 - Atribución-NoComerciales_MX
dc.contributorOUTMANE OUBRAMes_MX
dc.contributor.authorRosales De Jesús, Carlos
dc.contributor.otherdirector - Directores_MX
dc.coverage.spatialMEX - Méxicoes_MX
dc.date2024-04-09
dc.date.accessioned2024-05-27T16:29:28Z
dc.date.available2024-05-27T16:29:28Z
dc.identifier.urihttp://riaa.uaem.mx/handle/20.500.12055/4589
dc.descriptionEn este proyecto de tesis se ha propuesto un nuevo dispositivo electrónico llamado TRIPLE-δ-MIGFET, dónde se han estudiado las diferentes propiedades ´ópticas bajo la aplicación de campo eléctrico como de campo magnético. Se ha encontrado que el coeficiente de absorción; el cambio de ´índice de refracción; la rectificación ´óptica no lineal; la generación del segundo, así como del tercer armónico, se mejoran y pueden controlarse (sintonizar) con los efectos externos (voltaje de contacto, campo eléctrico y magnético). Este dispositivo optoelectrónico puede ser de gran utilidad para las aplicaciones industriales tales como sensores o moduladores, así como nueva tecnología de la telecomunicación, como el 6G, que se encuentra en el rango de terahertz.es_MX
dc.formatpdf - Adobe PDFes_MX
dc.languagespa - Españoles_MX
dc.rightsopenAccess - Acceso Abiertoes_MX
dc.subject7 - INGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.other33 - CIENCIAS TECNOLÓGICASes_MX
dc.titlePropiedades ópticas del transistor TRIPLE-δ-MIGFET con efectos de campo eléctrico y campo magnético aplicadoses_MX
dc.typebachelorThesis - Tesis de licenciaturaes_MX
uaem.unidadFacultad de Ciencias Químicas e Ingeniería - Facultad de Ciencias Químicas e Ingenieríaes_MX
uaem.programaIngeniería Eléctrica-Electrónica - Ingeniería Eléctrica-Electrónicaes_MX
dc.type.publicationacceptedVersiones_MX
dc.audiencegeneralPublic - Público en generales_MX
dc.date.received2024-04-29


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